1200℃双温区CVD系统介绍：

气相化学沉积系统（CVD管式炉）是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统，它由真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成。适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、碳纳米管生长、石墨烯材料制备、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

SGM 双温区CVD管式炉设计有两个温区，采用双层壳体结构和智能化程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，具有真空装置，可以通气氛抽真空，真空泵可以根据客户要求的真空度选配，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等点。

管式炉主要通过程序自动精度控温来实现CVD、PVD和退火处理等实验手段，并且可以通过滑轨实现快速降温。双温区滑轨炉规格参数：

配置：双温区滑轨管式炉一套(带三路流量控制系统一套氮气500sccm，氩气500sccm，氢气50sccm)，KF25抽气口真空泵一套，法兰改装(两端全部改装，每端三个出气口其中包括KF25抽气接口，1/4,接口出气口，以及真空压力表出气口和宝塔抽气接口)

SGM 双温区CVD管式炉主要功能和特点：

1、壳体结构：双层壳体结构，并带有风冷系统，使得壳体表面的温度小于60度；炉膛保温材料采用高纯氧化铝多晶纤维，减少热量的损失；内炉膛表面涂有美国质1750度高温氧化铝涂层可以提高反射率及设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命

2、功率：2.5KW

3、电压：AC220V50Hz/60Hz

4、工作温度：额定1200℃(＜1h)，连续工作1100℃

5、升降温速率：20℃/min

6、控温精度：±1℃

7、真空度：10-2torr(机械泵)，10-5torr(分子泵)

8、漏气率：＜5mtorr/min

9、升温速率:≤10℃/min

10、炉管尺寸和法兰：纯度99.8％的高纯石英管；包括不锈钢真空密封法兰，针阀，和压力表

11、扩展接口：标配KF25adapter转接头；标配VCR双卡套接头，炉子两端装有法兰支架支架长度根据炉管尺寸定做！(非标定制)

12、温控系统：PID智能化温度控制器，可以设置30段升降温程序；每个温区可以立的设置，带有过热和断偶保护

13、控制方法：PID自动控制

双温区CVD管式炉又称双温区管式梯度炉，双温区管式梯度炉专门设计用于有温度梯度要求的CVD工艺。两个温区立控制,温区可单使用。SGM CVD管式炉采用双层壳体结构,智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;内置两个温区,可以营造不同的温度梯度。